名片曝光使用說(shuō)明

步驟1:創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼,進(jìn)入虎易名片小程序,使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2:投放名片

創(chuàng)建名片成功后,將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開(kāi)啟名片曝光服務(wù),服務(wù)費(fèi)用為:1虎幣/天。(虎幣充值比率:1虎幣=1.00人民幣)

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化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià) NRP-4000 反應(yīng)離子刻蝕(RIE)/等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PEVCD)雙系統(tǒng)一體機(jī) 一、NRP-4000系統(tǒng)應(yīng)用: 該系統(tǒng)是我們專門(mén)為R&D環(huán)境提供的一種更經(jīng)濟(jì)有效的雙功能方案(RIE/PECVD)用于不同的應(yīng)用,替代購(gòu)買(mǎi)兩套獨(dú)立的系統(tǒng)。雙系統(tǒng)一體機(jī)可以極大的節(jié)省實(shí)驗(yàn)室的空間和成本。該系統(tǒng)通過(guò)共用渦輪分子泵組以及兩個(gè)腔體之間的門(mén)閥,還有計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng),以及有些部分的MFC等核心組件的共用,節(jié)省成本。用戶可通過(guò)計(jì)算機(jī)控制軟件選擇RIE或PECVD,用戶針對(duì)應(yīng)用在不同的腔體中放置相應(yīng)的樣片即可通過(guò)計(jì)算機(jī)軟件控制并自動(dòng)完成整個(gè)工藝。 此雙系統(tǒng)設(shè)備支持所有的RIE刻蝕應(yīng)用和PECVD沉積應(yīng)用。 二、NRP-4000雙系統(tǒng)概述: 在PECVD一側(cè)我們可以沉積非晶硅、氧化硅和氮化硅,在RIE一側(cè)可以刻蝕氧化硅和氮化硅(當(dāng)然可以根據(jù)使用不同的工藝氣體達(dá)到不同的應(yīng)用)。 在RIE一側(cè)具有一些獨(dú)特的性能:基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)的工藝控制而確保優(yōu)越的可重復(fù)性,并且獨(dú)特的樣品臺(tái)冷卻技術(shù)防止RF射頻泄漏,從而不會(huì)產(chǎn)生業(yè)內(nèi)其它系統(tǒng)所發(fā)生的那樣自偏壓的下降和偏離。 過(guò)去的設(shè)計(jì)中PECVD一側(cè)的14“不銹鋼立方腔體。最近,我們已經(jīng)改變腔體的設(shè)計(jì)為13”陽(yáng)極氧化鋁腔體(如RIE腔體),這是我們更新的設(shè)計(jì)并且減少了淋浴頭等離子源和樣品臺(tái)之間的間距,并在晶圓上取得了最佳的均勻度。請(qǐng)參考附上的工藝數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)中可以看到我們可以在200度左右的溫度下沉積氧化硅和氮化硅。我們?yōu)榉磻?yīng)氣體提供了氣體環(huán),使得生長(zhǎng)的薄膜具有更出色的化學(xué)計(jì)量比。 在RIE一側(cè),我們也可以提供額外的離子源-淋浴頭RF等離子源用于等離子各向同性刻蝕。系統(tǒng)也具備RF電源從等離子源切換到RIE端用于各向異性刻蝕的能力。另外額外的選項(xiàng)也可以被加入到系統(tǒng)中,比如ICP離子源,可以實(shí)現(xiàn)高速率的刻蝕和沉積,也可以在PECVD側(cè)增加低頻模塊用于控制氮化物薄膜的應(yīng)力,等等。 三、NRP-4000系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn): PECVD部分: - 帶氣體環(huán)的等離子源 - 13”圓柱形鋁質(zhì),氣動(dòng)升降頂蓋,便于從頂部放片/取片 - 6”樣品臺(tái),加熱到400oC,PID控溫,可以處理到6”或以下的晶圓片 - 4個(gè)MFC(5%SiH4/Ar,?N2O,?NH3, He,可增加)并從RIE端共享Ar和O2 ,工藝結(jié)束后N2自動(dòng)吹掃 - 雙真空計(jì)配置,MKS Baratron工藝真空計(jì)及Edwards廣域真空計(jì) RIE部分: - 淋浴頭均勻的氣體分布 - 13”圓柱形鋁質(zhì),氣動(dòng)升降頂蓋,便于從頂部放片/取片 - 6”偏壓陽(yáng)極氧化鋁樣品臺(tái),帶暗區(qū)保護(hù),循環(huán)冷卻水冷卻 - 4個(gè)MFC(CF4,C4F8,O2,Ar,可增加),工藝結(jié)束后N2自動(dòng)吹掃 - N2卸壓的MFC氣體保護(hù)箱,帶獨(dú)立氣莢 - 雙真空計(jì)配置,MKS Baratron工藝真空計(jì)及Edwards廣域真空計(jì) 共同部分: - 獨(dú)立式不銹鋼立柜系統(tǒng),占地面積28”L x 42”W x 44”H - 帶Lab View軟件的觸摸屏計(jì)算機(jī)全自動(dòng)的工藝控制 - 600W RF離子源電源帶自動(dòng)調(diào)諧器,用于RIE樣品臺(tái)和PECVD等離子源,自動(dòng)切換 - 2個(gè)6”門(mén)閥用于隔離腔體 - 抽速為260l/sec的普法HiPace300渦輪分子泵,串接Edwards RV8機(jī)械泵 - 兩個(gè)腔體的極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)達(dá)到10-6Torr級(jí)別 - 通過(guò)控制渦輪速度實(shí)現(xiàn)下游壓力全自動(dòng)控制 那諾中國(guó)有限公司|||化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià)
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