抗干擾磁環(huán)在高頻段，阻抗由電阻成分構(gòu)成，隨著頻率升高，磁芯的磁導(dǎo)率降低，導(dǎo)致電感的電感量減小，感抗成分減小 不過，這時(shí)磁芯的損耗增加，電阻成分增加，導(dǎo)致總的阻抗增加，當(dāng)高頻信號(hào)通過鐵氧體時(shí)，電磁干擾被吸收并轉(zhuǎn)換成熱能的形式耗散掉。 抗干擾磁環(huán)產(chǎn)品分類：主要分為鎳鋅材料和錳鋅材料，當(dāng)然條件允許的情況下，也可以用非晶磁環(huán)。針對(duì)于這3種磁環(huán)的特性，我這里不詳細(xì)說明了，網(wǎng)絡(luò)上也有這非常多的介紹。 抗干擾磁環(huán)產(chǎn)品選擇：對(duì)于選型來(lái)說，綜合高頻干擾選擇鎳鋅材料，低頻選擇錳鋅材料的大方向，其次依據(jù)產(chǎn)品本身大小、空間等限制，使用不同規(guī)格大小的磁環(huán)。 識(shí)別抗干擾磁環(huán)波形方法如下： 　　結(jié)合波形，做如下假設(shè)：1.假設(shè)藍(lán)色波形是上管線圈，流向是流出基極；2.假設(shè)綠色波形是下管線圈，流向是流向基極；3.電流向是流向燈管。 　　個(gè)拐點(diǎn)：上管開始進(jìn)入導(dǎo)通，下管開始退出導(dǎo)通。初級(jí)線圈電流逐步增大，導(dǎo)入陰極電流趨向反向較大。 　　第二個(gè)拐點(diǎn)：上管徹底進(jìn)入導(dǎo)通，下管徹底進(jìn)入截止。初級(jí)線圈電流開始正向增大，導(dǎo)入陰極電流已經(jīng)經(jīng)過反向較大值，開始向正向較大過渡。 　　第三個(gè)拐點(diǎn)：上管開始退出導(dǎo)通，下管開始進(jìn)入導(dǎo)通。初級(jí)線圈電流逐步增大，導(dǎo)入陰極電流趨向正向較大。 　　次圈電流波形中的平滑段是兩管子交替導(dǎo)通的死區(qū)時(shí)間。實(shí)際情況下，兩個(gè)次圈的電流在電流流向定義相同時(shí)，波形應(yīng)該是互為反相的。 抗干擾磁環(huán)就是指某電子設(shè)備既不干擾其它設(shè)備，同時(shí)也不受其它設(shè)備的影響。電磁兼容性和我們所熟悉的安全性一樣，是產(chǎn)品質(zhì)量重要的指標(biāo)之一。安全性涉及人身和財(cái)產(chǎn)，而電磁兼容性則涉及人身和環(huán)境保護(hù)。 抗干擾磁環(huán)定義：電磁波會(huì)與電子元件作用，產(chǎn)生干擾現(xiàn)象，稱為抗干擾磁環(huán)。例如，TV熒光屏上常見的“雪花”便表示接受到的訊號(hào)被干擾。 抗干擾磁環(huán)的抗干擾能力是用其阻抗特性來(lái)表征的。在低頻段呈現(xiàn)非常低的感性阻抗值，不影響數(shù)據(jù)線或信號(hào)線上有用信號(hào)的傳輸。在高頻段，約為10MHz左右開始，阻抗增大，其感抗成分保持很小，電阻性份量卻迅速增加，將高頻段EMI干擾能量以熱能形式吸收耗散。通常用兩個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)頻率25MHz和100MHz處電阻值來(lái)標(biāo)定EMI抗干擾磁環(huán)抗干擾特性。