滾動(dòng)軸承導(dǎo)軌淬火→shebei為串聯(lián)諧振電路拓?fù)?，感?yīng)器為隔離懸浮電壓，安全；而可控硅中頻為并聯(lián)諧振，感應(yīng)器為直接電壓500V，如絕緣破損受潮，則有不安全之慮。故選用我公司滾動(dòng)軸承導(dǎo)軌淬火→shebei更。15670632154→ 胡經(jīng)理。 滾動(dòng)軸承導(dǎo)軌淬火→shebei突出優(yōu)點(diǎn)： 1. 設(shè)備頻率可根據(jù)用戶所加工工件要求，一般為25-35KHz,適宜淬硬層為2-4mm，淬硬層適中。硬度符合要求，變形量小。 2. 材料為HT200-HT300時(shí)，硬度為HRC45-53。 3. 感應(yīng)器與導(dǎo)軌面之間的間隙控制采用導(dǎo)軌定位，避免感應(yīng)器與床面之間接觸打火，間隙始終保持一致、溫度均勻、硬度一致。 4. 采用IGBT，國(guó)際先進(jìn)器件，不要老式可控硅，效率比老式可控硅中頻提高30%-40%，節(jié)電30%-40% 6. 本設(shè)備采用國(guó)際先進(jìn)的PWM控制，占功比調(diào)功，進(jìn)網(wǎng)側(cè)不用電抗器，不用前級(jí)調(diào)功可控硅。對(duì)電網(wǎng)和其他設(shè)備影響甚微；而可控硅中頻，用電抗器平波，前級(jí)可控硅調(diào)功，諧波嚴(yán)重， 對(duì)電網(wǎng)和同網(wǎng)設(shè)備有較嚴(yán)重諧波干擾。 7. 本設(shè)備設(shè)有全面的閉環(huán)保護(hù)，保護(hù)速度為納秒級(jí)：（1/1000000秒級(jí)）本設(shè)備主電路正常工作，主器件不損壞?？煽毓枋街蓄l則常常燒壞昂貴的快速熔斷器及可控硅。 8. 本設(shè)備設(shè)有全面的保護(hù)回路。如水溫、水壓、電壓、電流等，確保設(shè)備正常工作。 滾動(dòng)軸承導(dǎo)軌淬火→shebei0371-6799972/67998700，胡文錦經(jīng)理。滾動(dòng)軸承導(dǎo)軌淬火→shebei→ http://www.guoyungaopin.com ，滾動(dòng)軸承導(dǎo)軌淬火→shebei生產(chǎn)廠家→ 鄭州國(guó)韻電子。 滾動(dòng)軸承導(dǎo)軌淬火→shebei主要技術(shù)參數(shù)： 型號(hào)：機(jī)床導(dǎo)軌專用設(shè)備 輸入功率：三相380V 50-60HZ 振蕩頻率：20-35KHZ 體積：主：650×480×1440mm3 變壓器柜：500×800×580mm3 名詞解釋： ①淬火是將工件加熱保溫后，在水、油或其它無(wú)機(jī)鹽、有機(jī)水溶液等淬冷介質(zhì)中快速冷卻。淬火后鋼件變硬，但同時(shí)變脆。 ②IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。 ③在電阻、電感及電容所組成的串聯(lián)電路內(nèi)，當(dāng)容抗XC與感抗XL相等時(shí)，即XC＝XL，電路中的電壓U與電流I的相位相同，電路呈現(xiàn)電阻性，這種現(xiàn)象叫諧振’>串聯(lián)諧振。當(dāng)電路發(fā)生諧振’>串聯(lián)諧振時(shí)，電路的阻抗Z=√R2 XC-XL2=R,電路中總阻抗小，電流將達(dá)到較大值。