名片曝光使用說明

步驟1：創(chuàng)建名片

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產品

GBT系列概述

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級別的芯片可幫助模塊制造商提高產品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的獨立塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產品，廣泛應用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應加熱設備、大型家電、焊接以及開關電源（SMPS）等領域。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。

 

功率模塊是比分立式IGBT規(guī)模稍大的產品類型，用于構造電力電子設備的基本單元。這類模塊通常由IGBT和二極管組成，可有多種拓撲結構。而即用型組件模塊則專用于滿足大功率應用的需求。這些組件常被稱作系統(tǒng)，根據(jù)具體應用領域采用IGBT功率模塊或單管進行構造。從具有整流器、制動斬波器和逆變器的一體化功率集成模塊，到大功率的組件，英飛凌的產品覆蓋了幾百瓦到幾兆瓦的功率范圍。這些產品高度可靠，性能、效率和使用壽命均很出色，有利于通用驅動器、伺服單元和可再生能源應用（如太陽能逆變器和風力發(fā)電應用）的設計。

 

HybridPACK?系列專為汽車類應用研發(fā)，可助力電動交通應用的設計。為更好地支持汽車類應用，英飛凌還推出了符合AECQ101標準的各類 分立式IGBT功率半導體。

 

英飛凌為您提供大部分產品的評估板，方便簡化實驗室模型和產品原型，從而縮短研發(fā)周期。這樣一來，您就能在短的時間內獲得結論性成果。

 

采用TO-220封裝、帶有反并聯(lián)二極管的650 V IGBT

 

是650 V、28 A 硬開關TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT，它采用小尺寸TO-220封裝，用于10 kHz-40 kHz之間的硬開關應用，可提高電流密度、增加效率、縮短上市時間、減輕電路設計的復雜程度以及優(yōu)化物料清單成本。

 

特征描述

 

25°C時極低VCEsat （1.5 V）

4倍Ic 脈沖電流（100°C Tc）

無拖尾電流

對稱低電壓過沖

柵極電壓受控（無震蕩）。不存在器件意外導通的風險，無需柵極鉗位元件

高結溫Tvj = 175°C

符合JEDEC標準


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