品 名 | 純度 | 密度 | 鍍膜優(yōu)勢(shì)色 | 形狀 | 常規(guī)尺寸 | 應(yīng)用行業(yè) |
鈦鋁（TiAl）合金靶 | 2N8-4N | 3.6-4.2 | 玫瑰金/咖啡色 | 圓柱形 | 直 徑 60/65/95/100*30/32/40/45mm | 裝 飾 / 工 具 |
純鉻（Cr）靶 | 2N7-4N | 7.19 | 白色/黑色 | 圓柱形 | ||
純鈦（Ti）靶） | 2N8-4N | 4.51 | 金黃色/槍黑色 藍(lán)色/玫瑰紅 | 圓柱形 | ||
純鋯（Zr）靶 | 2N5-4N | 6.5 | 金色 | 圓柱形 | ||
純鋁（Al））靶 | 4N-5N | 2.7 | 銀色 | 圓柱形 | ||
純鎳（Ni）靶 | 3N-4N | 8.9 | 金屬本色 | 圓柱形 | ||
鎳釩（Ni）靶 | 3N | 8.57 | 藍(lán)綠色 | 圓柱形 | ||
純鈮（Nb）靶 | 3N | 8.57 | 白色 | 圓柱形 | ||
純鉭（Ta）靶 | 3N5 | 16.4 | 黑色/紫色 | 圓柱形 | ||
純鉬（Mo）靶 | 3N5 | 10.2 | 黑色 | 圓柱形 |
靶材的主要性能要求編輯
靶材的主要性能要求:
純度
純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的性能影響很大。不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質(zhì)含量
靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過(guò)程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)。對(duì)于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。
