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沉積的均勻性與電極和腔室的設(shè)計很有關(guān)系。管式PECVD系統(tǒng)由于其石墨舟中間鏤空，因此利用了硅片作為電極的一部分，因此輝光放電的特性就與硅片表面的特性有了一定的關(guān)系，比如硅片表面織構(gòu)化所生成的金子塔的狀態(tài)就對等離子體放電產(chǎn)生影響，而目前硅片的電導(dǎo)率的不同也影響到等離子場的均勻性。另外管式PECVD的氣流是從石英管一端引入，這樣也會造成工藝氣體分布的不均勻。板式PECVD系統(tǒng)使用了襯底板作為電極，而且采用勻氣的Shower系統(tǒng)，但是由于襯底板在長期加熱后會有稍微的翹曲，從而造成平行板電極間距的不一致，也會造成片間不均勻。另外，等離子體直接法在大面積沉積時會造成由于高頻波長所帶來的附加的不均勻性。真空管式爐均系周期作業(yè)式。供實驗室、工礦企業(yè)、科研單位作元素分析測定和一般小型鋼件的淬火、退火、回火和電子陶瓷等新材料的加熱用。本系列設(shè)備的成套供應(yīng)范圍有溫度控制器、熱電偶、補(bǔ)償導(dǎo)線等。溫度控制有繼電器控制、可控硅控制二種，由于是間歇式作業(yè)爐，一般都采用40段PlD可編程控制，能嚴(yán)格控制產(chǎn)品的燒制過程。管內(nèi)氣液兩相流壓力降確定的復(fù)雜性：(1)氣液兩相流沒有直接的類似于摩擦系數(shù)與雷諾數(shù)之間的關(guān)系。(2)氣液相流速不同，存在相對運動，產(chǎn)生內(nèi)摩擦損失而使壓力降低。(3)由于液相滯留量存在，管內(nèi)實際流通截面積減小，會使壓力降增加。(4)在垂直管內(nèi)，液相連續(xù)不斷的上升和下降，也會消耗能量而形成壓力降。爐管內(nèi)氣液兩相流的適宜流型：爐管內(nèi)汽液兩相流的流型.好是霧狀流(不允許出現(xiàn)液節(jié)流)；泡點附近允許出現(xiàn)環(huán)狀流或分散氣泡流，除此之外，其它流型均應(yīng)避免；當(dāng)定位點表示的流型完全不符合要求時，可以縮小爐管直徑或加大注入的水蒸汽量來獲得適宜的流型。
