管式加熱爐爐管管內(nèi)流速的選擇：對于氣、液混相的爐管內(nèi)，流速的低限是必須流型符合要求，以避免局部過熱，流速的上限是臨界流速（即該狀態(tài)的聲速）。(流速加大時，介質(zhì)停留時間短，減少結(jié)焦分解的危險，還可以增加傳熱系數(shù)；但過大流速，壓力降(與流速平方成正比)會變得大造成不必要的能量損失，甚至不滿足工藝要求。一般.大流速為臨界流速80%-90%)煙囪高度和爐子本身高度各有作用：煙囪高度所形成的抽力用于：克服煙氣流動過程中的總壓力降，克服空氣通過燃燒器的壓力降，爐膛內(nèi)具有一定負壓。爐子本身高度所形成的抽力：輻射室高度所形成的抽力用于克服空氣通過的燃燒器阻力，對流室高度所形成的抽力用來輻射室頂?shù)呢搲汉涂朔煔馔ㄟ^對流室的壓力降的一部分。分類CVD技術(shù)常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。過去，對LPCVD和APCVD常使用的反應室是一個簡單的管式爐結(jié)構(gòu)，即使在今天，管式爐也還被廣泛地應用于沉積諸如Si3N4和二氧化硅之類的基礎薄膜(氧氣中有硅元素存在將會終形成為量的SiO2，但這會大量消耗硅元素；通過硅烷和氧氣反應也可能沉積出SiO2-兩種方法均可以在管式爐中進行)。近，單片淀積工藝推動并導致產(chǎn)生了新的CVD反應室結(jié)構(gòu)。這些新的結(jié)構(gòu)中絕大多數(shù)都使用了等離子體，其中一部分是為了加快反應過程，也有一些系統(tǒng)外加一個按鈕，以控制淀積膜的質(zhì)量。在PECVD和HDPCVD系統(tǒng)中有些方面還特別令人感興趣是通過調(diào)節(jié)能量，偏壓以及其它參數(shù)，可以同時有沉積和蝕刻反應的功能。通過調(diào)整淀積：蝕刻比率，有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。