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方法的優(yōu)缺點(diǎn)比較各種方法都有其有缺點(diǎn)：從大的方面講，直接PECVD法對樣品表面有損傷，會增加表面少子的復(fù)合，但是也正是由于其對表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質(zhì)原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進(jìn)入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。使用不同頻率的PECVD系統(tǒng)，也各有一定的優(yōu)缺點(diǎn)：（1）頻率越高均勻面積越小，越難于達(dá)到大面積均勻性。（2）頻率越低對硅片表面的損傷越嚴(yán)重。（3）頻率越低離子進(jìn)入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。目前，在中國微波法PECVD系統(tǒng)占據(jù)市場的主流，而管式PECVD系統(tǒng)也占據(jù)不少份額，而島津的板式系統(tǒng)只有5~6條生產(chǎn)線在使用。直流法PECVD系統(tǒng)還沒有進(jìn)入中國市場。除了上述幾種模式的PECVD系統(tǒng)外，美國的AppliedMaterial公司還開發(fā)了磁控濺射PECVD系統(tǒng)，該系統(tǒng)使用磁控濺射源轟擊硅靶，在氨氣的氣氛中反應(yīng)濺射，形成SiNx分子沉積到樣品表面。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是不使用易爆的硅烷氣，安全性提高很多，另外沉積速率很高。如果按照PECVD系統(tǒng)所使用的頻率范圍，又可將其分成以下幾類：■0Hz：直流間接法——OTB公司■40KHz：Centrotherm公司管式直接法PECVD和AppliedMaterial公司的磁控濺射系統(tǒng)■250kHz：島津公司的板式直接法系統(tǒng)■440kHz：Semco公司的板式直接法■460kHz：Centrotherm公司管式直接法■13.6MHz：Semco公司和MVSystem公司的板式直接法系統(tǒng)■2450MHz：Roth
