產(chǎn)品用途本系列設備適用于科研單位、高等院校、工礦企業(yè)理想的實驗和生產(chǎn)設備主要用于高溫精密退火、微晶化、陶瓷釉料制備、模具退火、粉末冶金、塑膠粉沫實驗、納米材料的燒結、金屬零件淬火及一切做高溫工藝要求的熱處理產(chǎn)品特點殼體采用冷軋鋼板雙層結構獨特設計，殼體顏色漆經(jīng)過高溫烘烤而成，經(jīng)久耐用。配有風冷系統(tǒng)，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快等優(yōu)點。真空系統(tǒng)采用特種設計，具有操作方便、真空度高、真空泄露小，（極限真空度：10-5pa）密封系統(tǒng)采用不銹鋼法蘭與爐管及耐高溫O型硅橡膠密封，氣體經(jīng)過流量計后由針閥開關控制，閥控配有進氣閥、排氣閥、抽真空閥，可充氮氣、氬氣等一切惰性氣體爐膛采用復合氧化鋁纖維材料經(jīng)獨特工藝構筑，比傳統(tǒng)電爐節(jié)能30%控制系統(tǒng)采用微電腦人工智能調節(jié)技術，具有50段程序編程，并可編制各種升溫、恒溫、降溫程序，控溫精度高晶體模塊化可控硅控制、移相觸發(fā)；采用加熱元件控制面板：全部采用數(shù)字化控制具有（超溫、超壓、超流、斷偶、斷電等保護功能）（爐管、加熱區(qū)可根據(jù)客戶要求定制！）PECVD法按沉積腔室等離子源與樣品的關系上可以分成兩種類型：直接法：樣品直接接觸等離子體，樣品或樣品的支撐體就是電極的一部分。間接法：或稱離域法。待沉積的樣品在等離子區(qū)域之外，等離子體不直接打到樣品表面，樣品或其支撐體也不是電極的一部分。直接法又分成兩種：（1）管式PECVD系統(tǒng)：即使用像擴散爐管一樣的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個可以放置多片硅片的石墨舟插進石英管中進行沉積。這種設備的主要制造商為德國的Centrotherm公司、中國的捷佳偉創(chuàng)公司、第四十八研究所、七星華創(chuàng)公司、青島賽瑞達公司。（2）板式PECVD系統(tǒng)：即將多片硅片放置在一個石墨或碳纖維支架上，放入一個金屬的沉積腔室中，腔室中有平板型的電極，與樣品支架形成一個放電回路，在腔室中的工藝氣體在兩個極板之間的交流電場的作用下在空間形成等離子體，分解SiH4中的Si和H，以及NH3中的N形成SiNx沉積到硅表面。這種沉積系統(tǒng)目前主要是日本島津公司在進行生產(chǎn)。間接法又分成兩種：（1）微波法：使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外，先將氨氣離化，再轟擊硅烷氣，產(chǎn)生SiNx分子沉積在樣品表面。這種設備目前的主要制造商為德國的Roth