PECVD法按沉積腔室等離子源與樣品的關(guān)系上可以分成兩種類型：直接法：樣品直接接觸等離子體，樣品或樣品的支撐體就是電極的一部分。間接法：或稱離域法。待沉積的樣品在等離子區(qū)域之外，等離子體不直接打到樣品表面，樣品或其支撐體也不是電極的一部分。直接法又分成兩種：（1）管式PECVD系統(tǒng)：即使用像擴(kuò)散爐管一樣的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個(gè)可以放置多片硅片的石墨舟插進(jìn)石英管中進(jìn)行沉積。這種設(shè)備的主要制造商為德國(guó)的Centrotherm公司、中國(guó)的捷佳偉創(chuàng)公司、第四十八研究所、七星華創(chuàng)公司、青島賽瑞達(dá)公司。（2）板式PECVD系統(tǒng)：即將多片硅片放置在一個(gè)石墨或碳纖維支架上，放入一個(gè)金屬的沉積腔室中，腔室中有平板型的電極，與樣品支架形成一個(gè)放電回路，在腔室中的工藝氣體在兩個(gè)極板之間的交流電場(chǎng)的作用下在空間形成等離子體，分解SiH4中的Si和H，以及NH3中的N形成SiNx沉積到硅表面。這種沉積系統(tǒng)目前主要是日本島津公司在進(jìn)行生產(chǎn)。間接法又分成兩種：（1）微波法：使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外，先將氨氣離化，再轟擊硅烷氣，產(chǎn)生SiNx分子沉積在樣品表面。這種設(shè)備目前的主要制造商為德國(guó)的Roth&Rau公司。（2）直流法：使用直流源激發(fā)等離子體，進(jìn)一步離化氨氣和硅烷氣。樣品也不與等離子體接觸。這種設(shè)備由荷蘭的OTB公司生產(chǎn)。加熱爐回火的現(xiàn)象及原因是什么？應(yīng)該怎樣預(yù)防？答：現(xiàn)象：爐膛內(nèi)產(chǎn)生正壓，防爆門頂開(kāi)，火焰噴出爐膛，回火傷人或爐膛內(nèi)發(fā)生爆.炸而造成設(shè)備的損壞。原因：1)燃料油大量噴入爐內(nèi)或瓦斯大量帶油；2)煙道檔板開(kāi)度過(guò)小，降低了爐子抽力，使煙氣排不出去；3)爐子超負(fù)荷運(yùn)行，煙氣來(lái)不及排放；4)開(kāi)工時(shí)點(diǎn)火發(fā)生回火，主要是瓦斯閥門不嚴(yán)，使瓦斯串入爐內(nèi)，或因一次點(diǎn)不著，再次點(diǎn)火前如爐膛吹掃不凈，造成爐膛爆.炸回火。預(yù)防措施：1)嚴(yán)禁燃料在點(diǎn)燃前大量進(jìn)入爐內(nèi)，瓦斯嚴(yán)禁帶油；2)搞清煙道檔板的實(shí)際位置，嚴(yán)防在調(diào)節(jié)煙道檔板時(shí)將檔板關(guān)死或關(guān)得太??；3)不能超負(fù)荷運(yùn)行，應(yīng)使?fàn)t內(nèi)始終保持負(fù)壓操作；4)加強(qiáng)設(shè)備管理，瓦斯閥門不嚴(yán)的要及時(shí)更換修理；5)開(kāi)工點(diǎn)火前應(yīng)注意檢查瓦斯和燃料油的閥門是否嚴(yán)密，每次點(diǎn)火前必須將爐膛內(nèi)的可燃?xì)怏w用蒸汽吹掃干凈。管式氣氛爐的主要結(jié)構(gòu)分為兩大類，如下：1.管式氣氛爐的外殼采用鋼板這邊焊接而成，外表靜電噴涂，美觀大方。爐膛采用耐高溫的碳化硅材料制成，加熱元件為鐵鉻鋁合金絲纏繞在爐膛上。工作室為優(yōu)質(zhì)高密度剛玉管，剛玉管的兩端配有法蘭裝置，可以對(duì)爐膛內(nèi)部抽真空。也可以通入氣氛保護(hù)。2.控制部分采用數(shù)顯自動(dòng)控溫，也可以根據(jù)用戶的需要配置智能PID控溫儀，可以設(shè)置50段升溫曲線，具有超溫報(bào)警功能。