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沉淀法又分為直接沉淀法、共沉淀法和均勻沉淀法等，都是利用生成沉淀的液相反應(yīng)來(lái)制取。共沉淀法可在制備過(guò)程中完成反應(yīng)及摻雜過(guò)程，因此較多地應(yīng)用于電子陶瓷的制備。BaTiO3是一種重要的電子陶瓷材料，具有高介電常數(shù)和優(yōu)異的鐵電和壓電性能。用TiCl4,H2O2和BaCl2以共沉淀法制備過(guò)氧化鈦前驅(qū)體，經(jīng)無(wú)水乙醇分散脫水，熱分解制備出顆粒直徑小于30nm的BaTi03納米晶。轉(zhuǎn)化管管系結(jié)構(gòu)有些，各有特點(diǎn)？答：制氫爐轉(zhuǎn)化管管系一般采用單管型，包括轉(zhuǎn)化管、上下尾管、上下集合管等。轉(zhuǎn)化管在爐膛內(nèi)為加熱段，爐膛外為伸出段，管內(nèi)設(shè)置有支持催化劑的傘型托架，兩端設(shè)置有法蘭和法蘭蓋，以便裝卸催化劑。轉(zhuǎn)化爐管有冷底和熱底兩種結(jié)構(gòu)。冷底即轉(zhuǎn)化管下端伸出爐底(如圖13所示)，但伸出部分不被加熱，雖然多用一段合金鋼，熱損失也較大，但便于催化劑的卸出。熱底結(jié)構(gòu)即轉(zhuǎn)化爐管下端不伸出爐底，可以節(jié)省一段昂貴的合金鋼，熱損失較少，但催化劑不能從爐底卸出，只能從頂部吸出。化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō)，它是很簡(jiǎn)單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。
