名片曝光使用說明

步驟1:創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼,進(jìn)入虎易名片小程序,使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2:投放名片

創(chuàng)建名片成功后,將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開啟名片曝光服務(wù),服務(wù)費(fèi)用為:1虎幣/天。(虎幣充值比率:1虎幣=1.00人民幣)

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爐體的安裝電爐可放置在工作臺(tái)上,以適合人體的生理操作高度,工作臺(tái)的有效承載應(yīng)大于200KG。電氣安裝電源配置:220V(380V)。按用戶的電控柜配置功率應(yīng)大于4Kw。熱電偶插入爐膛深度25mm,采用N分度號(hào)補(bǔ)償導(dǎo)線與控溫儀表聯(lián)接。注意:應(yīng)先裝石英管后裝熱電偶,熱電偶不能與石英管接觸。電爐和控制柜整體接地,接地線接地電阻應(yīng)小于4Ω。電阻絲接線方式:二根并聯(lián),電源:?jiǎn)蜗?20V(或380V)。檢查及緊固由于運(yùn)輸?shù)仍?,?yīng)檢查爐體各螺釘?shù)木o固情況,確認(rèn)無誤。對(duì)許多金屬和金屬合金一個(gè)有趣的爭(zhēng)論就是,他們是通過物理氣相沉積(PVD)還是通過化學(xué)氣相沉積(CVD)能得到.好的沉積效果。盡管CVD比PVD有更好的臺(tái)階覆蓋特性,但目前諸如銅的子晶層和鉭氮擴(kuò)散層薄膜都是通過PVD來沉積的,因?yàn)楝F(xiàn)有的大量裝置都是基于PVD系統(tǒng)的,工程技術(shù)人員對(duì)PVD方法也有較高的熟練程度。一些人建議,既然臺(tái)階覆蓋特性越來越重要(尤其是在通孔邊墻覆蓋),CVD方法將成為必不可少的技術(shù)。相似的爭(zhēng)論也存在于產(chǎn)生低k值介質(zhì)材料方面:是使用CVD方法好還是采用旋涂工藝好?在化學(xué)氣相沉積中,決定晶圓間薄膜均勻性的重要參數(shù)之一是晶圓間的氣體是流動(dòng)的。上圖所示是Novellus概念下ThreeALTUS系統(tǒng)中,一個(gè)晶圓及其基座上的SiH4集中度和鎢沉積率的典型路徑圖。弗爐煅燒的原理煅燒:在一定溫度下,于空氣或惰性氣流中進(jìn)行熱處理,稱為煅燒或焙燒。煅燒是天然化合物或人造化合物的熱離解或晶形轉(zhuǎn)變過程;此時(shí)化合物受熱離解為一種組分更簡(jiǎn)單的化合物或發(fā)生晶形轉(zhuǎn)變。碳酸鹽的熱離解稱為焙解。煅燒作業(yè)可用于直接處理礦物原料以適于后續(xù)工藝要求,也可用以化學(xué)選礦后期處理而制取化學(xué)精礦,滿足用戶對(duì)產(chǎn)品的要求。煅燒過程主要發(fā)生的物理和化學(xué)變化有:(1)熱分解。除去化學(xué)結(jié)合水,CO2,NOx等揮發(fā)性雜質(zhì),在較高溫度下,氧化物還可能發(fā)生固相反應(yīng),形成有活性的化合狀態(tài);(2)再結(jié)晶,可得到一定的晶形、晶體大小、孔結(jié)構(gòu)和比表面;(3)微晶適當(dāng)燒結(jié),以提高機(jī)械強(qiáng)度。影響煅燒過程的主要因素:煅燒溫度、氣相成分、化合物的熱穩(wěn)定性等。因此根據(jù)各種化合物(如碳酸鹽、氧化物、氫氧化物一硫化物、含氧酸鹽等)的熱穩(wěn)定性不相同,采用控制煅燒溫度和氣相組成,可以選擇性改變某些化合物的組成或發(fā)生晶形的轉(zhuǎn)變,再用相應(yīng)方法處理,可以達(dá)到除去雜質(zhì)和使有用組分離富集的目的。
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