是積層電容多層(積層,疊層)片式陶瓷電容器,也稱為獨(dú)石電容。英文縮寫:MLCC。積層電容器具有積層體和形成在積層體的側(cè)面上的多個端子電極。積層體具有,多個電介質(zhì)層和多個內(nèi)部電極被交替積層而成的內(nèi)層部,和多個電介質(zhì)層被積層而成的外層部。在外層部內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)通路,該導(dǎo)通路電連接多個端子電極的至少任意一個端子電極上的不同的多個位置。在導(dǎo)通路中,在與該導(dǎo)通路電連接的端子電極中流動的電流分流而流動。由此,減小了積層電容器的等效串聯(lián)電感。東莞市興海塑膠電子生產(chǎn)徑向引線多層陶瓷電容器,歡迎聯(lián)系圖片上的聯(lián)絡(luò)方式咨詢。徑向引線多層陶瓷(積層)電容器,又名獨(dú)石電容器材料根據(jù)所使用的材料,獨(dú)石電容器可分為三類:一類為溫度補(bǔ)償類NPO電介質(zhì),這種電容器電氣性能,基本上不隨溫度、電壓、時間的改變,屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型,適用在對穩(wěn)定性、性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。二類為高介電常數(shù)類X7R電介質(zhì),由于X7R是一種強(qiáng)電介質(zhì),因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定,隨溫度、電壓時間的改變,其特有的性能變化并不,屬穩(wěn)定電容材料類型,使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及性要求較高的中高頻電路中。三類為半導(dǎo)體類Y5V電介質(zhì),這種電容器具有較高的介電常數(shù),常用于生產(chǎn)比容較大、標(biāo)稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R差,容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感,主要用在電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波及傍路電路中。獨(dú)石電容比一般瓷介電容器大(10pF~10μF),且電容量大、體積小、性高、電容量穩(wěn)定,耐高溫,絕緣性好,成本低等優(yōu)點(diǎn),因而得到廣泛的應(yīng)用。獨(dú)石電容器不僅可替代云母電容器和紙介電容器,還取代了某些鉭電容器,廣泛應(yīng)用在小型和超小型電子設(shè)備(如液晶手表和微型儀器)中。東莞市興海塑膠電子,對于產(chǎn)品的趨勢發(fā)展有獨(dú)特的見解,歡迎新老客戶來電咨詢洽談。徑向引線多層陶瓷(積層)電容器容量范圍材質(zhì):CC4(NPO,COG)CT4(X7R)CT4(Y5V,Z5U)容量范圍:0.5pF~104221~225103~106容量誤差:B=±0.1pFC=±0.25pFK=±10%M=±20%D=±0.5pFF=±1%M=±20%S= 50%~-20%G=±2%J=±5%S= 50%~-20%Z= 80%~-20%K=±10%M=±20%額定電壓:25V,50V,100V,200V,500V,1000V2000V,3000V,4000V25V,50V,100V200V,250V損耗(DF)0.15%Max2.5%Max5.0%Max(20℃,1MHZ,1VDC)(20℃,1KHZ,1VDC)(20℃,1KHZ,0.3VDC)絕緣電阻:C≤10nFIR≥10000MΩC≤25nFIR≥4000MΩC>10nFIR