11.0592M晶振 5032 11.0592MHZ貼片晶振 11.0592M晶振可提供的封裝形式有 貼片式封裝:5032 6035 7050 49SMD(2腳和4腳) 插件式封裝:DIP08 DIP14 49S 206 308 常規(guī)參數(shù)有現(xiàn)貨,特殊參數(shù)可定做 晶振小知識: 晶振的負載電容對晶振頻點的大小有影響？ 晶振的負載電容對晶振頻點的大小有影響？ 晶振（Oscillator）是不需要電容的，晶體（Crystal）才需要電容。 晶振的實際頻率和標稱頻率之間的關系： Fx = F0(1 C1/(C0 CL))^(1/2); 而 CL = Cg*Cd/(Cg Cd) Cs;其中Cs為雜散電容，Cg和Cd為我們外部加的兩個電容，通常大家取值相等，它們對串聯(lián)起來加上雜散電容即為晶振的負載電容CL. 具體公式不用細想，我們可以從中得知負載電容的減小可以使實際頻率Fx變大， 我們可以改變的只有Cg和Cd，通過初步的計算發(fā)現(xiàn)CL改變1pF,Fx可以改變幾百Hz。 原有電路使用的是33pF的兩個電容，則并聯(lián)起來是16.5pF，我們的貼片電容只有27pF,33pF，39pF,所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián)，則電容為15.95pF。電容焊好后，測量比原來大了200多赫茲，落在了設計范圍內(nèi)。 結論：晶振電路上的兩個電容可以不相等，通過微調(diào)電容的值可以微調(diào)晶振的振蕩頻率，不過如果你測了幾片晶振，頻率有大有小，而且偏移較大，那么這個晶振就是不合格的。 晶體的datasheet中所講的負載電容，就是兩引腳所接的電容以及內(nèi)部寄生的電容和布局引入的電容的總和，如果匹配合適，其頻偏就越小，當然實際的個體差異，就需要適當調(diào)整。具體的計算公式上面已經(jīng)給出，但是對于晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd Cg)] Cic △C式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,Cic（集成電路內(nèi)部電容） △C（PCB上電容).就是說負載電容15pf的話，兩邊個接27pf的差不多了，一般a為6.5～13.5pF中所提到的Cic，個人理解應該是晶體內(nèi)部晶片引線間的寄生電容，此電容一般較大值在7pf（datasheet給出的值），實際一般在3~5pF，在計算外接的兩個電容值時，要考慮到此值。 晶體兩引腳之間所接的電阻，阻值一般在幾兆歐姆，原理kinpoagilent也講到了，實際批量產(chǎn)品應用中如果有不易起振的情況一般加上有效，但是多數(shù)情況下，IC內(nèi)部已經(jīng)有了就不需要了。 對于晶體的外殼在生產(chǎn)時需要接地，從我們的產(chǎn)品大批量生產(chǎn)出貨來看的話，是沒有差別，在參觀晶體生產(chǎn)廠家時，有碰到專門在晶體外殼下放一個絕緣墊把晶體和板子隔開的產(chǎn)品，說是有客戶這么要求的，不知接地有明確的影響大家可以討論下。 有些晶體在使用時，會在晶體輸入引腳XI上串聯(lián)一個電阻，阻值在幾十到幾百歐姆間，有人說是改善輸入電平，實際調(diào)試時，會影響到頻偏精度。不知那位高手對此比較熟悉，請多多指點一下。 設計時，晶體下方和輸入輸出引線一般要盡可能的完整包地。 公司介紹: 深圳市億晶振業(yè)電子有限公司十多年的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售經(jīng)驗。主營產(chǎn)品：有源晶振，溫補晶振，溫補晶振TCXO，直插鐘振，貼片鐘振，直插有源晶振，貼片有源晶振，DIP08晶振，DIP14晶振，7050晶振，5032晶振，3225晶振，無源晶振，3225無源貼片晶振，5032無源貼片晶振，7050無源貼片晶振，49S晶振，49SMD晶振。工廠嚴格按照ISO9001：2000質(zhì)量管理體系，降低成本，提升品質(zhì)。 本公司還供應上述產(chǎn)品的同類產(chǎn)品：11.0592M有源晶振,11.0592M無源晶振,11.0592M直插晶振