FF150R12KS4 - INFINEONPDF資料 英文描述： 中文描述：IGBT 模塊 1200V 150A DUAL 技術規(guī)格：制造商:Infineon;產(chǎn)品種類:IGBT 模塊;RoHS:否;產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules;配置:Dual;集電極—發(fā)射極較大電壓 VCEO:1200 V;集電極—射極飽和電壓:3.2 V;Continuous Collector Current at 25 C:225 A;柵極—射極漏泄電流:400 nA;功率耗散:1.25 KW;較大工作溫度: 125 C;封裝 / 箱體:62MM;柵極/發(fā)射極較大電壓: /- 20 V;小工作溫度:- 40 C;安裝風格:Screw;Standard Pack Qty:500 1999年5月1日，西門子半導體公司正式更名為Infineon，總部設在德國慕尼黑。主要生產(chǎn)汽車和工業(yè)電子芯片、保密及IC卡應用IC、通訊多媒體芯片、存儲器件等。1998年Infineon公司是全球半導體制造商之一。該公司在全球亞、歐、美三大洲5個擁有10個制造工廠，在九個設有16個研發(fā)中心，1998年員工約25,000人，主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。主要生產(chǎn)汽車和工業(yè)電子芯片、保密及IC卡應用IC、通訊多媒體芯片、存儲器件等。 1200VIGBT模塊 半橋（2單元） FF400R12KE3 FF400R12KT3 FF200R12KT3_E FF300R12KT3_E FF400R12KT3_E FF225R12ME4 FF300R12ME4 FF450R12ME4 FF600R12IS4F FF1400R12IP4 FF900R12IP4D FF900R12IP4 FF600R12IP4 FF600R12IE4 FF450R12IE4 FF450R12KE4 FF300R12KE4 FF200R12KE4 FF450R12KT4 FF300R12KT4 FF200R12KT4 FF200R12MT4 FF150R12MT4 FF100R12MT4 FF300R12MS4 FF150R12MS4G FF225R12MS4 BSM25GB120DN2 BSM35GB120DN2 BSM50GB120DLC BSM50GB120DN2 BSM75GB120DLC BSM75GB120DN2 BSM100GB120DLC BSM100GB120DLCK BSM100GB120DN2 BSM100GB120DN2K. BSM150GB120DLC BSM150GB120DN2 BSM200GB120DLC BSM200GB120DN2 BSM300GB120DLC FF75R12YT3 FF100R12KS4 FF100R12YT3 FF150R12KE3G FF150R12KS4 FF150R12KT3G FF150R12ME3G FF150R12YT3 FF200R12KE3 FF200R12KS4 FF200R12KT3 FF225R12ME3 FF300R12KE3 FF300R12KS4 FF300R12KT3 FF300R12ME3 FF400R12KF4 FF400R12KL4C FF450R12ME3 FF600R12KE3 FF600R12KF4 FF600R12KL4C FF800R12KE3 FF800R12KF4 FF800R12KL4C FF1200R12KE3