名片曝光使用說(shuō)明

步驟1:創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼,進(jìn)入虎易名片小程序,使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2:投放名片

創(chuàng)建名片成功后,將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開(kāi)啟名片曝光服務(wù),服務(wù)費(fèi)用為:1虎幣/天。(虎幣充值比率:1虎幣=1.00人民幣)

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供應(yīng) HP4191A HP4191A HP4191A譚艷飛 HP4191A阻抗測(cè)試儀詳細(xì)介紹: HP4191A阻抗測(cè)試儀1MHZ-1000MHZ 測(cè)試材料的阻抗Z,導(dǎo)納Y,電感L,電阻R,介電損耗D ,品質(zhì)因數(shù) 射頻阻抗計(jì)量器具檢定系統(tǒng)   Verification Scheme of RF Impedance Measuring Instruments   JJG 2011-87   代替:高頻阻抗量值傳遞系統(tǒng) 射頻阻抗計(jì)量器具檢定系統(tǒng)   本檢定系統(tǒng)適用于射(高)頻集總參數(shù)阻抗計(jì)量器具(即檢測(cè)20kHz-1GHz頻段的R,L,C元件和材 料電磁特性所有物儀器設(shè)備和量具、標(biāo)準(zhǔn)件),規(guī)定了射頻(習(xí)慣上也稱高頻)集總參數(shù)阻抗量的量值 溯源途徑、傳遞程序及計(jì)量器具的檢定方法。   一、計(jì)量基準(zhǔn)器具   1、高頻集總參數(shù)阻抗的計(jì)量基準(zhǔn)器具是指用于復(fù)現(xiàn)和保存20kHz-1000GHz高頻阻抗量值(包括 電介質(zhì)材料的復(fù)數(shù)介電常數(shù)和軟磁材料的復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率)的計(jì)量設(shè)備和量具。   2、射(高)頻集總參數(shù)阻抗計(jì)量基準(zhǔn)器具包括:   2.1空氣介質(zhì)同軸線阻抗基準(zhǔn),其阻抗量值由同軸線尺寸和材料電磁特性經(jīng)理論計(jì)算求得。它用 校準(zhǔn)按反射系數(shù)測(cè)量原理設(shè)計(jì)的高頻阻抗精密測(cè)量裝置??諝饨橘|(zhì)同軸線也是微波阻抗基準(zhǔn),本檢 定系統(tǒng)移用它,有利于射(高)頻、微波阻抗量值的統(tǒng)一。在(1-1000)MHz頻段,其技術(shù)指標(biāo)為:     反射系數(shù)模值|г|:1.000±0.002;    相角:±180°±0.5°。   2.2高頻阻高頻阻抗精密測(cè)量裝置,它是利用從美國(guó)引進(jìn)的HP4191A高頻阻抗分析儀,經(jīng)過(guò)準(zhǔn)確度論 證分析,高頻集總參數(shù)阻抗量的以下計(jì)量工作性能:     頻率:(1-1000)MHz     反射系數(shù)模值|г|:1.000±(0.003-0.007)     相角θ:±180°±0.5°;     阻抗模值|Z|:1Ω-10kΩ±(0.5-10)%     電容C:10pF-100nF±(0.2-10)%;     電感L:10nH-100μH±(0.2-10)%     損耗:tgδ(D)0.001-0.5±<(0.002-0.05)   二、高頻集總參數(shù)阻抗標(biāo)準(zhǔn)   3、集總參數(shù)阻抗標(biāo)準(zhǔn)包括:   3.1高頻阻抗標(biāo)準(zhǔn)件50Ω,0Ω,0S。它們由基準(zhǔn)通過(guò)直接比對(duì)法傳遞量值,技術(shù)特性如下:     50Ω:|г|≤0.0025;    0Ω:殘余阻抗小于2mΩ;    0S:邊緣電容值0.080pF   這些標(biāo)準(zhǔn)件用以校準(zhǔn)按電壓電流比原理設(shè)計(jì)的高頻阻抗分析儀、高頻LCR表等通用高頻阻抗測(cè)量?jī)x 器(校準(zhǔn)中還需使用直流以和低頻阻抗標(biāo)準(zhǔn)伯)。并由50Ω阻抗件組成模擬損耗件校準(zhǔn)Q值、tgδ值等 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備  3.2高頻、低頻阻抗分析儀。這些是市售商品高準(zhǔn)確度阻抗測(cè)量?jī)x器,也用作計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備,用以 定標(biāo)低準(zhǔn)確度的阻抗標(biāo)準(zhǔn)量具。其技術(shù)指標(biāo)為:     頻率:20kHz-1000MHz;     阻抗|Z|:1Ω-10kΩ±(1-20%);     電容C:10pF-100nF±(0.5-20)%;     電感L:10nH-1.00μH±(0.5-20)%
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