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產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 采用國(guó)際先進(jìn)的美國(guó)原裝SDD（SILICON DRIFT DETECTOR）硅漂移探測(cè)器,分辨率更高, 大大提高了輕元素的檢出限，標(biāo)準(zhǔn)檢出限較SI-PIN探測(cè)器提高100倍；測(cè)量范圍更寬，基本涵蓋了各種常規(guī)材料元素分析要求；
2. 配置美國(guó)原裝數(shù)據(jù)集成處理系統(tǒng),數(shù)據(jù)采集速度更快，測(cè)量更穩(wěn)定，重復(fù)性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性更好；
3. 配置新開發(fā)的專用測(cè)量軟件,集成多種圖形計(jì)算方法,測(cè)量數(shù)據(jù)更，更穩(wěn)定；
4. 軟件全面監(jiān)控儀器主要核心部件運(yùn)行狀態(tài),使用更安全；
5. 配置專門開發(fā)的真空系統(tǒng),真空性能更好,測(cè)試效果更佳；
技術(shù)參數(shù):
1. 元素分析范圍從鈉(Na)到鈾(U)
2.. 元素含量分析范圍為1ppm到99.99％
3. 較低檢出限：1ppm
4. 測(cè)量時(shí)間：60-200秒(可調(diào))
5. 儀器工作電源：AC220±5V
6. 能量分辨率為129±5eV
7. X 射線光管較大輸出電流：1mA
8. 極限壓力：6.7×10-2 Pa
9.樣品腔尺寸：610*320*100(mm)（不抽真空）/Φ100*h75(mm) (真空樣品腔)
10.多次測(cè)量重復(fù)性(以標(biāo)準(zhǔn)樣品為準(zhǔn))：±0.05％（高含量）/±0.002％(微量)
11.長(zhǎng)期工作穩(wěn)定性(以標(biāo)準(zhǔn)樣品為準(zhǔn))±:0.06％ (高含量）/±0.0025％(
