【hsm】法蘭式壓力變送器K-S-T-T ====================================================== 由于市場(chǎng)仿制太多,本公司將把標(biāo)簽換成激光打碼和激光標(biāo)簽.如所獲得商品和圖片中標(biāo)簽有出入,請(qǐng)諒解,我們以后將采用激光標(biāo)簽,謝謝各位的光臨..... 如不需要打標(biāo)或者需要貼牌請(qǐng)聯(lián)系我們 量的擴(kuò)散硅芯（質(zhì)保2年） 請(qǐng)拍下的客戶注明接口種類： M10×1.0外螺紋；(定制) M12×1.0外螺紋；(定制) M14×1.5外螺紋；(常規(guī)) M16×1.5外螺紋 (常規(guī)) M20×1.5外螺紋；(常規(guī)) 1／8NPT外螺紋 (定制) 1／4NPT外螺紋；(定制) 1／2NPT外螺紋；(定制) 3／8NPT外螺紋；(常規(guī)) G1／8外螺紋；(定制) G1／4外螺紋；(常規(guī)) G1／2外螺紋；(常規(guī)) G3／8外螺紋；(定制) 非標(biāo)螺紋可定(常規(guī)螺紋) 注明輸出信號(hào)： （電流輸出4～20mA，電壓輸出0～10VDC，電壓輸出0～5VDC） 陶瓷芯價(jià)格 130.00（個(gè)別量程不可以做（只做1MPA以上） 質(zhì)保1年） 一份錢一份貨，我們不存在用陶瓷芯冒充擴(kuò)散硅芯。 價(jià)格就是芯體 是擴(kuò)散硅芯？ 擴(kuò)散硅傳感器:基本原理是利用半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機(jī)械加工技術(shù)，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴(kuò)散等半導(dǎo)體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當(dāng)受到外力作用時(shí)產(chǎn)生微應(yīng)變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對(duì)變大一對(duì)變?。┰诩?lì)電壓信號(hào)輸出，經(jīng)過(guò)計(jì)算機(jī)溫度補(bǔ)償、激光調(diào)阻、信號(hào)放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測(cè)、標(biāo)定等工藝，生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號(hào)的壓力變送器. 陶瓷傳感器: （穩(wěn)定性沒(méi)有擴(kuò)散硅好）防腐液體氣體上 陶瓷傳感器是干式傳感器，過(guò)程壓力直接作用在堅(jiān)固的陶瓷膜片上，基板電極和膜片電極可以檢測(cè)出與壓力相關(guān)的電容變化，測(cè)量范圍取決于陶瓷膜片的厚度。膜片破碎的自診斷功能?？惯^(guò)壓能力可達(dá)正常壓力的40倍 。度99.9%陶瓷，具有與哈氏合金相同的抗化學(xué)腐蝕能力。適用于真空?qǐng)龊?。第二腔室用于提高機(jī)械強(qiáng)度，阻止因傳感器損壞導(dǎo)致介質(zhì)泄漏。 齊平膜型-需要定貨（所有量程都可定制） 一．概述 KSTT801擴(kuò)散硅壓阻式壓力變送器是為使用環(huán)境比較惡劣的現(xiàn)場(chǎng)而設(shè)計(jì)的一種高性能液位變送器。其外形為精巧的一體化全不銹鋼結(jié)構(gòu)，安裝方便，具有抗振性和抗沖擊性好、精度高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于石油、化工、冶金、水利、電力、食品、醫(yī)藥等行業(yè)的壓力、液位的測(cè)量和過(guò)程控制。 二．工作原理 利用單晶硅的壓阻效應(yīng)，以單晶硅為基體，按特定晶向，用先進(jìn)的微機(jī)械加工技術(shù)形成彈性元件，在其適當(dāng)位置用集成電路工藝形成四個(gè)等值應(yīng)變電阻，組成惠斯登電橋，對(duì)電橋施加一恒定電壓（流），當(dāng)有壓力（差壓）作用到彈性元件時(shí)，使其輸出與對(duì)應(yīng)于所加壓力成比例的電壓信號(hào)，經(jīng)過(guò)電子線路把電壓信號(hào)放大轉(zhuǎn)換成三線制的0-5V輸出。 三．技術(shù)指示 量程范圍：0—2Kpa—60Mpa(全量程) 輸出信號(hào)：0-5V三線制 0-10V三線制 4-20MA二線制 供電電源：12—36VDC 典型24VDC 精度等級(jí)：±0.25%FS 長(zhǎng)期穩(wěn)定性：≤±0.2%FS/年 溫度范圍：-40—85℃ 環(huán)境濕度：.＜90%RH 環(huán)境溫度：-10—85℃ 過(guò)載壓力：120%FS 防爆型壓力表