產(chǎn)品介紹 手動(dòng)硅片測(cè)試儀可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM(美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì))和Semi標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。 硅片無接觸測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn) ■ 無接觸測(cè)量 ■適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料 ■ 厚度和TTV測(cè)量采用無接觸電容法探頭 ■ 高分辨率液晶屏顯示厚度和TTV值 ■ 性價(jià)比高 ■ 菜單式快速方便設(shè)置 ■ 高分辨率液晶LCD顯示 ■ 提供和計(jì)算機(jī)連接的輸出端口 ■ 提供打印機(jī)端口 ■ 便攜且易于安裝 ■ 為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供的無接觸測(cè)量 ■ 量微處理器為和重復(fù)精度高的測(cè)量提供強(qiáng)力保障 ■ 量聚四氟乙烯晶圓測(cè)試架，為晶圓硅片定位提供保障 無接觸硅片測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo) ■ 晶圓硅片測(cè)試尺寸：50mm- 300mm. ■ 厚度測(cè)試范圍：1000 um，可擴(kuò)展到1700 um. ■ 厚度測(cè)試精度： /-0.25um ■ 厚度重復(fù)性精度：0.050um ■ TTV 測(cè)試精度: /-0.05um ■ TTV重復(fù)性精度: 0.050um ■ 彎曲度測(cè)試范圍： /-500um [ /-850um] ■ 彎曲度測(cè)試精度： /-2.0um ■ 彎曲度重復(fù)性精度： 0.750um ■ 晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào)：P 或 N型 ■ 材料：Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料 ■ 可用在：切片后、磨片前、后，蝕刻，拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等 ■平面/缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口 ■ 硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石/石英基底，黏膠帶 ■ 連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量 應(yīng)用范圍 > 切片 >>線鋸設(shè)置 　　　　>>>厚度 　　>>>總厚度變化TTV >>監(jiān)測(cè) >>>導(dǎo)線槽 >>>刀片更換 >磨片/刻蝕和拋光 >> 過程監(jiān)控 >> 厚度 >>總厚度變化TTV >> 材料去除率 >> 彎曲度 >> 翹曲度 >> 平整度 >　研磨 >> 材料去除率 >　終檢測(cè) >>　抽檢或全檢 >> 終檢厚度 典型客戶 美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)太陽能及半導(dǎo)體客戶。