名片曝光使用說明

步驟1：創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼，進(jìn)入虎易名片小程序，使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2：投放名片

創(chuàng)建名片成功后，將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開啟名片曝光服務(wù)，服務(wù)費(fèi)用為：1虎幣/天。(虎幣充值比率：1虎幣=1.00人民幣)

關(guān)于曝光服務(wù)

名片曝光只限于使用免費(fèi)模板的企業(yè)產(chǎn)品詳細(xì)頁下，因此當(dāng)企業(yè)使用收費(fèi)模板時(shí)，曝光服務(wù)將自動(dòng)失效，并停止扣除服務(wù)費(fèi)。

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4842mos管sop-8場效應(yīng)管雙N溝道高功率MOSFET

4842是一款常見的金氧半場效晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于各種模擬電路與數(shù)字電路中。耗散功率為2000（mW）。

 

4842mos管由溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)而成實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。 并快速切換速度和改善轉(zhuǎn)移有效。 這些功能結(jié)合使這個(gè)設(shè)計(jì)非常有效和適用于各種DC-DC應(yīng)用的可靠設(shè)備。

 

4842mos管特征：

種類：絕緣柵(MOSFET)

溝道類型：N溝道

導(dǎo)電方式：增強(qiáng)型

用途：V-FET/V型槽MOS

封裝外形：SMD(SO)/表面封裝

材料：N-FET硅N溝道

開啟電壓：20（V）

夾斷電壓：60（V）

漏極電流：4500（mA）

耗散功率：2000（mW）

 

驪微電子經(jīng)銷的：場效應(yīng)MOS管、二三極管、IC電子元器件品種齊全、價(jià)格合理，提供電源領(lǐng)域相關(guān)軟硬件設(shè)計(jì)服務(wù)，提供方案設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、客訴等一條龍技術(shù)服務(wù)，系統(tǒng)解決客戶技術(shù)后顧之憂。


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