ATC100B系列軍品電容,和普通1210封裝很接近
美國ATC100B系列陶瓷超級多層電容的產(chǎn)品性能
1． 外形尺寸【0.110英寸×0.110英寸】
2． 高Q值
3． 低等效串聯(lián)電阻/等效串聯(lián)電感
4． 高自共振
5． 高可靠性【列入美國政府合格產(chǎn)品名單】
6． 容值范圍0.1PF到1000PF
7． 低噪音
ATC是電容制造的領(lǐng)導(dǎo)者，為您提供改進的100Bs系列射頻/微波電容，其等效串聯(lián)電阻/等效串聯(lián)電感性能比以前更好。此系列產(chǎn)品工作溫度達到175℃A值和高自諧振多層電容，高密度瓷結(jié)構(gòu)提供了堅固，密閉的封裝。
典型功能應(yīng)用：旁路、耦合、調(diào)諧、反饋、阻抗匹配和直流阻隔。
典型電路應(yīng)用：超高頻/微波/射頻功率放大器、混頻器、振蕩器、低噪音放大器、濾波網(wǎng)路、定時時電路、延時電路。
電氣和機械特性
品質(zhì)因數(shù)【高Q值】：頻率為1MHzS時大于10000
電容溫度系數(shù)【TCC】
＋90±20PPM℃【﹣55℃至﹢125℃】
＋90±20PPM℃【﹣125℃至﹢175℃】
絕緣電阻【IR】
0.1PF到470PF
在﹢25℃時，額定直流工作電壓下，最小10000000兆歐
在﹢125℃時，額定直流工作電壓下，最小1000000兆歐
510PF到1000PF
在﹢25℃時，額定直流工作電壓下，最小10000000兆歐
在﹢125℃時，額定直流工作電壓下，最小1000000兆歐
高于﹢125℃時，額定絕緣電阻比原值降低一個數(shù)量級
介質(zhì)耐壓【DWV】
外形尺寸B型：可承受250%額定直流工作電壓5秒鐘
溫度變化復(fù)原后容值偏離原值
低于±【0.02%或0.02PF】去二中較大值
老化效應(yīng) 【無】
壓電效應(yīng) 【無】
容值漂移
低于±【0.02%或0.02PF】去二中較大值
工作溫度范圍
0.1到330PF:﹣55℃至﹢175℃
360到1000PF﹣55℃至﹢125℃
【額定工作電壓保持不變】
高Q值電容ATC100B2R2CW500XT 1210 500V 2.2PF
高Q值電容ATC100B150JW500XT 1210 500V 15PF
高Q值電容ATC100B200JW500XT 1210 500V 20PF
高Q值電容ATC100B240JW500XT 1210 500V 24PF
高Q值電容ATC100B5R6CW500XT 1210 500V 5.6PF
高Q值電容ATC100B180JW500XT 1210 500V 18PF
高Q值電容ATC100B4R7CW500XT 1210 500V 4.7PF
高Q值電容ATC100B1R5CW500XT 1210 500V 1.5PF
高Q值電容ATC100B2R0CW500XT 1210 500V 2PF
高Q值電容ATC100B100JW500XT 1210 500V 10PF
高Q值電容ATC100B120JW500XT 1210 500V 12PF
高Q值電容ATC100B3R0CW500XT 1210 500V 3PF
高Q值電容ATC100B3R9CW500XT 1210 500V 3.9PF
高Q值電容ATC100B0R8CT500XT 1210 500V 0.8PF
高Q值電容ATC100B331JT200XT 1210 500V 330PF
高Q值電容ATC100E220KT3600X 1210 500V 22PF
高Q值電容ATC100B270JW500XT 1210 500V 27PF
高Q值電容ATC100B300JT500XT 1210 500V 30PF
高Q值電容ATC100B6R2CT500XT 1210 500V 6.2PF
高Q值電容ATC100B6R8CT500XT 1210 500V 6.8PF
高Q值電容ATC100B130JT500XT 1210 500V 13PF
高Q值電容ATC100B9R1CT500XT 1210 500V 9.1PF
高Q值電容ATC100B8R2CT500XT 1210 500V 8.2PF
高Q值電容ATC100B680JT500XT 1210 500V 68PF
高Q值電容ATC100B2R4CT500XT 1210 500V 2.4PF
高Q值電容ATC100B3R6CT500XT 1210 500V 3.6PF
高Q值電容ATC100B1R2CT500XT 1210 500V 1.2PF
高Q值電容ATC100B220JT500XT 1210 500V 22PF
高Q值電容ATC100B6R8CT500XT 1210 500V 6.8PF
高Q值電容ATC100B470JT500XT 1210 500V 47PF
高Q值電容ATC100B330JT500XT 1210 500V 33PF
高Q值電容ATC100B151JT300XT 1210 500V 150PF
高Q值電容ATC100B121JT300XT 1210 500V 120PF
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一般電容與射頻電容的區(qū)別：
　　一般電容是容納電荷本領(lǐng)的物理量。它是一種靜態(tài)電荷存儲介質(zhì)。
　　射頻電容是去除高頻如RF信號的干擾，為器件提供信號狀態(tài)在高速切換時所需要的瞬間電流，避免射頻能量進入配電網(wǎng)絡(luò)，為器件提供局部化的直流電壓源。
高頻電容
CBB電容（如WIMA電容）, 云母電容[如金、銀云母
電容）, 獨石電容等均屬高頻電容.
高頻電容和低頻電容的區(qū)別是由構(gòu)成它的材料和結(jié)構(gòu)決定的，不是由容量決定的.[1]
高頻電容適合用于高頻濾波的場合 --- 比如電腦主板和開關(guān)電源的二次輸出整流，
低頻電容適合用于低頻濾波的場合 --- 比如交流電整流以后的濾波。

產(chǎn)品特點
1. 高Q值C0G系列MLCC，屬于微波陶瓷多層片式瓷介電容器；
2. 采用順電體微波介質(zhì)材料；
3. 具有極高的穩(wěn)定性，其電容量幾乎不受時間、交流、直流信號的影響；
4. 具有極低的介質(zhì)損耗，即極高的Q值，超低的ESR。
5. 適用于要求Hi-Q、超低ESR的射頻微波線路。