西瓜嫁接育苗人員需要自己決定需要控制多少環(huán)境。如果溫室面積不大，用一個恒溫器和時鐘即可。然而，如果溫室面積大于800平方米，內有多個區(qū)域，則需要用計算機來控制。一般育苗溫室越大，需要控制的越復雜、越靈活，則越需要計算機。

  要知道需要控制什么和怎樣控制，是用計算機環(huán)境控制系統(tǒng)的關鍵。必須了解系統(tǒng)如何工作和如何調整。某些系統(tǒng)比其他系統(tǒng)允許調整的程序較多。有些計算機控制系統(tǒng)可以連續(xù)記錄天氣資料，提供每一個溫室區(qū)域環(huán)境數(shù)據(jù)持續(xù)記錄，且繪制成圖，提供更快更精確的控制。環(huán)境控制計算機可以容易地處理晝夜溫差、降低濕度、施用二氧化碳、遮陰、通風，同一時間多區(qū)域控制等。

  1、溫度影響8424西瓜苗的光合作用、呼吸、酶活性、水和養(yǎng)分吸收。在溫度從10℃增加到29℃時，莖和根生長相應的增加。每一種植物的生長有其最適溫度，這個溫度不同于開花的最適溫度。在溫度保持在線形范圍內，葉片的展開速度受嫁接西瓜苗生長日平均溫度的影響。晝夜溫差可用于控制植物節(jié)間長度。溫度與光、二氧化碳和養(yǎng)分相互作用控制著嫁接西瓜苗的生長。

  2、光質對植物形態(tài)影響是由紅光和紅外光的比例來決定。光照時數(shù)或光周期控制開花。光強通過光合作用影響8424西瓜苗的生長和產量。葉片光合作用的光飽和點大約是32280lx。遮陰可造成8424西瓜嫁接苗徒長。光量也影響植物的光合作用、生長、產量和光中性植物的開花。來自于光合作用的碳水化合物的優(yōu)先分配關系首先是花和種子，莖次之，根位居第三。高壓氣體放電燈，如高壓鈉燈，在低自然光和長夜地區(qū)是主要補光設施。

  3、嫁接西瓜苗對高濃度二氧化碳的反應大于正常水平。溫室注入二氧化碳的時間是在第1個真葉出現(xiàn)時，濃度為600～1200mg/L。二氧化碳濃度增加與溫度、光照、濕度和養(yǎng)分等相互制約。

  4、濕度控制著8424西瓜苗的蒸發(fā)和蒸騰速度。高濕度引起植物徒長，Ca吸收減少，易造成植物生長柔弱。

  5、小型育苗溫室環(huán)境控制包括恒溫器控制和邏輯模擬控制系統(tǒng)。對大于800平方米的溫室，應使用環(huán)境控制計算機。