Bitmap 產(chǎn)品型號HG302C(即hg302C、HG-302C、hg-302C)
品牌:AKM(旭化成)
霍爾特性:GaAs砷化鎵高靈敏度型霍爾
工作溫度:-40°C~125°C
電壓:55mV
輸入阻抗:650Ω
輸出阻抗:650Ω
封裝:4-pin SIP ;DIP-4
包裝:500 pcs/袋
備注:In stock/ New original packing/ Rohs無鉛環(huán)保
HG302C 與THS119可以互相替代
HG302C廣泛應用于
開環(huán)霍爾效應電流傳感器、鉗流表
GaAs砷化鎵作為第二代半導體,其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱,制成的半導體器件相對于傳統(tǒng)的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點,這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的性和穩(wěn)定性,更適合用于安全性、速度要求更高的領域(諸如安防、精密設備制造等)。