產(chǎn)品型號HG106C(即hg106c、HG-106C、hg-106c)
品牌:AKM(旭化成)
霍爾特性:高穩(wěn)定性GaAs砷化鎵霍爾
溫度:-40℃~125℃
電壓:55mV
輸入阻抗:650Ω
輸出阻抗:650Ω
封裝:小型化SMT封裝4pin-sop ;SOT-343
包裝: 4000 pcs/盤
HG106C典型應(yīng)用
開環(huán)電流傳感器,萬用表,交流鉗流表,攝像頭,高斯計(jì)
GaAs砷化鎵作為第二代半導(dǎo)體,其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。砷化鎵單晶因其價(jià)格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱,制成的半導(dǎo)體器件相對于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的性和穩(wěn)定性,更適合用于安全性、速度要求更高的領(lǐng)域(諸如安防、精密設(shè)備制造等)。