產(chǎn)品型號HG362A(即hg362a、HG-362A、hg-362a)
品牌:AKM(旭化成)
霍爾特性:GaAs砷化鎵霍爾
溫度:-40℃~125℃
電壓:78mV
封裝:4-pin SIP ;DIP-4
包裝:500 pcs/袋
備注:In stock/ New original packing/ Rohs無鉛環(huán)保
GaAs砷化鎵霍爾典型應(yīng)用
砷化鎵霍爾器件是一種磁敏器件,在精密測磁、自動化控制、通訊、計算機(jī)、航空航天、工業(yè)探傷、民用電器、辦公自動化、汽車、醫(yī)療儀器、鉗流表、電流電壓傳感器和國防工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
GaAs砷化鎵作為第二代半導(dǎo)體,其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱,制成的半導(dǎo)體器件相對于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的性和穩(wěn)定性,更適合用于安全性、速度要求更高的領(lǐng)域(諸如安防、精密設(shè)備制造等)。